）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高
2023-05-05 17:46
半导体则由氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等材料制成。 禁带宽度：功率半导体的禁带宽度相对较窄，通常在1eV左右，而宽
2024-07-31 09:07
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速
2020-05-28 09:58
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半
2018-10-10 16:57
现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
2016-04-29 15:25
的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其
2017-11-25 16:19
目前电气化仍是减少碳排放的关键驱动力，而对高效电源的需求正在加速增长。与传统硅器件相比，宽禁带技术，如碳化硅（SiC）和氮化镓（ GaN）等仍是促进功率转换效率的关键。工程师必须重新评估他们的验证和测试方法，以应对当
2025-02-19 09:37
氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质
2024-01-10 09:27
