）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半
2018-10-10 16:57
现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
2016-04-29 15:25
宽带隙 （WBG） 半导体需要具有更低的寄生电感和电容的封装。为了实现这一目标，提出了新的包装解决方案，以增加集成度。
2024-03-25 10:01
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽
2024-10-16 13:52
为了实现在图腾柱PFC使用常见的开关器件，本文介绍预充电电路的解决方案。 相较采用宽禁带半导体，此方案的功率半导体器件较
2022-08-01 09:32
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，由于其优于传统硅的性能，在电力电子行业中越来越受欢迎。
2023-11-08 09:30
宽禁带半导体作为第三代半导体功率器件，在电源处理器中充当了越来越重要的角色。其具有能量密度高、工作频率高、操作温度高等先
2024-08-06 17:30
由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低，宽禁带半导体（SiC 和 GaN）现在配合传统硅一同用于汽车和 RF 通信等严苛应用中。
2020-05-11 10:20
