器件的特点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3
2019-01-11 13:42
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40
MOSFET器件的体二极管反向恢复时间和电荷，因此它降低了寄生体二极管反向恢复的开关损耗和噪音，便于实现宽工作频率工作；碳化硅MOSFET的Coss小，降低了器件的关断
2016-08-05 14:32
概要：本文将讨论谐振LLC和移相（Phase Shift）两种隔离DC/DC拓扑的性能特点以及在新能源汽车电源中的应用，然后针对宽禁带碳化硅MOSFET对两种隔离DC/
2016-08-25 14:39
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
`高端产品上的元器件应用选择.`
2015-12-31 11:30
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
