由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主
2020-06-28 17:30
泛的宽禁带半导体材料之一，凭借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身优异的半导体性
2021-01-12 11:48
碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子
2023-10-09 16:38
在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带
2022-07-06 12:49
、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳
2019-10-24 14:21
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。 在众多的半导体器件中，
2023-09-26 16:42
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，
2023-02-20 15:15
第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势，且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以
2024-12-05 09:37
