氧化镓（Ga2O3）是一种新兴宽禁带半导体（禁带宽度为4.9 eV），具
2023-03-28 11:48
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的
2023-02-02 15:13
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的
2024-07-31 09:09
半导体则由氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等材料制成。 禁带宽度：功率半导体的禁
2024-07-31 09:07
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半
2023-11-03 12:10
宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC
2022-08-02 17:22
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半
2023-02-23 17:59
对于宽禁带半导体行业目前概况，吕凌志博士直言，宽禁
2022-07-05 12:44
