半导体则由氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等材料制成。 禁带宽度：功率半导体的禁
2024-07-31 09:07
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设
2020-05-28 09:58
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半
2018-10-10 16:57
的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56
现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
2016-04-29 15:25
目前电气化仍是减少碳排放的关键驱动力，而对高效电源的需求正在加速增长。与传统硅器件相比，宽禁带技术，如碳化硅（SiC）和氮化镓（ GaN）等仍是促进功率转换效率的关键。工程师必须重新评估他们的验证和测试方法，以应对当
2025-02-19 09:37
半导体材料，具有以下特点： 高击穿电场强度：GaN具有高绝缘性能和高电子流动性，使其在高电压应用中具有较好的可靠性和稳定性。 宽禁带宽度：GaN的
2024-01-10 09:27
宽带隙 （WBG） 半导体需要具有更低的寄生电感和电容的封装。为了实现这一目标，提出了新的包装解决方案，以增加集成度。
2024-03-25 10:01
