SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁
2022-02-25 15:49
氧化镓（Ga2O3）是一种新兴宽禁带半导体（禁带宽度为4.9 eV），具
2023-03-28 11:48
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的
2023-02-02 15:13
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的
2024-07-31 09:09
SIC MOSFET是第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁
2022-02-17 15:13
半导体则由氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等材料制成。 禁带宽度：功率半导体的禁
2024-07-31 09:07
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽
2017-07-11 14:06
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半
2023-11-03 12:10
