第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势，且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其
2024-12-05 09:37
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是
2023-02-02 15:13
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。
2024-07-31 09:09
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽
2017-07-11 14:06
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。 编者按： 近年来，以氮化镓和碳化硅两种主要新材料为代表的宽
2022-10-28 11:04
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美
2020-10-30 08:37
第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半
2023-02-23 17:59
