）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一
2018-10-10 16:57
SiC作为宽禁带半导体材料，与Si相比具有击穿场强高、导热系数高、载流能力大、开关速度快、可高温工作等优点，适用于高压、
2018-05-17 09:27
氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及
2024-01-10 09:27
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，由于其优于传统硅的性能，在电力电子行业中越来越受欢迎。
2023-11-08 09:30
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导
2017-11-25 16:19
碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁
2023-05-18 09:54
随着可再生能源、电动汽车等领域现代电力应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料具有适合高压
2024-11-26 16:27
以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体材料具有优异的光电转换和微波信号传输能力，能满足高频、高温
2024-02-20 10:03
