宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的
2024-07-31 09:09
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体
2023-02-02 15:13
半导体材料。 宽禁带半导体材料
2023-11-03 12:10
第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和
2023-02-23 17:59
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。 编者按： 近年来，以氮化镓和碳化硅两种主要新
2022-10-28 11:04
碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于
2023-10-09 16:38
宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体
2022-08-02 17:22
对于宽禁带半导体行业目前概况，吕凌志博士直言，宽禁
2022-07-05 12:44
