宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的
2024-07-31 09:09
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体
2023-02-02 15:13
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半
2023-11-03 12:10
的机遇和挑战等方面，为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士和研究生提供了难得的学习和交流机会
2017-07-11 14:06
第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和
2023-02-23 17:59
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。 编者按： 近年来，以氮化镓和碳化硅两种主要新
2022-10-28 11:04
碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于
2023-10-09 16:38
