工作原理（发射极零偏压、集电极正偏压）基区注入光脉冲时，载流子在能带之间跃迁，并导致电子空穴倍增，当基区中的光生电子向集电区移动时，空穴就会复合掉一小部分从发射极注入的电子，大多数未被复合的电子就到达集电极随着光脉冲的断开，基区中载流子快速复合，PSD便处于关态，同时，异质pn结将承受很大的发射极、集电极电压
2021-03-08 16:19
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等
2017-06-16 10:37
及新能源汽车要求在600V-1200V，而轨道交通要求最高，范围在3300V-6500V之间。图表4 功率半导体器件的应用及工作频率（来源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模块，常见类型有IGBT类本文来源：来源：
2019-02-26 17:04
半导体材料市场构成：在半导体材料市场构成方面，大硅片占比最大，占比为32.9%。其次为气体，占比为14.1%，光掩膜排名第三，占比 为12.6%，其后：分别为抛光液和抛
2021-01-22 10:48
1，半导体基础2，PN节二极管3，BJT和其他结型器件4，场效应器件
2020-11-27 10:09
材料的代表，宽禁带材料SiC和GaN相对于前两代半导体
2017-02-22 14:59
半导体器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57
功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率半导体
2008-08-12 08:46
`我司专业生产制造半导体包装材料。晶圆硅片盒及里面的填充材料一批及防静电屏蔽袋。联系方式：24632085`
2016-09-27 15:02
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比
2021-07-12 07:49
