碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一
2021-02-01 11:28
作者 | 薛定谔的咸鱼 第三代半导体 主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体，它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子
2023-02-27 15:19
工作原理（发射极零偏压、集电极正偏压）基区注入光脉冲时，载流子在能带之间跃迁，并导致电子空穴倍增，当基区中的光生电子向集电区移动时，空穴就会复合掉一小部分从发射极注入的电子，大多数未被复合的电子就到达集电极随着光脉冲的断开，基区中载流子快速复合，PSD便处于关态，同时，异质pn结将承受很大的发射极、集电极电压
2021-03-08 16:19
第一代、第二代、第三代半导体之间应用场景是有差异的。以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体应用场景十分广泛， 从尖端的CPU、GPU、存储芯片，再到各种充电器中的功率器件都可以做。虽然在某些
2023-02-27 15:20
这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54
半导体具有独特的导电性能。当环境温度升髙或有光照时，它们的导电能力 会显著增加，所以利用这些特性可以做成各种温敏元件（如热敏电阻）和各种光 敏元件（如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等）。更重
2017-07-28 10:17
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带
2022-02-25 15:49
及新能源汽车要求在600V-1200V，而轨道交通要求最高，范围在3300V-6500V之间。图表4 功率半导体器件的应用及工作频率（来源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模块，常见类型有IGBT类本文来源：来源：宽
2019-02-26 17:04
LED具有高效率运行的良好声誉，更不用说高可靠性。正确地指定和实施，LED应该和几乎满足每个照明应用。然而，有时实际设备寿命低于指定的理想。LED是宽禁带半导体器件。
2017-07-18 09:48
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子 密
2023-02-27 14:49
