）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料，它们在电子器件中的应用有着很大的不同。以下是它们之间的一些主要区别：
2024-07-31 09:07
量子计算具备可能超越经典计算的潜在能力，近年来在技术研究、应用探索及产业生态培育等方面取得诸多进展，整体发展进入快车道，已成为全球多国科研布局与投资热点。重点梳理分析量子计算关键技术研究进展、应用探索开展态势和产业生
2023-08-08 11:32
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速
2020-05-28 09:58
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半
2018-10-10 16:57
研究进展，简要总结了外延材料表征技术的发展趋势， 为 GaN HEMT 外延层的材料生长和性能优化提供了反馈和指导。
2023-02-20 11:47
以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料具有高 击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密 度、高迁移率、可承受大功率等特点，非常适合 制作应用于高频、高压、高温等应用
2023-08-18 16:24
的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56
现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
2016-04-29 15:25
