宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06
新型铜互连方法—电化学机械抛光技术研究进展多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（ＣＭＰ）技术带来了巨大的挑战，低ｋ 介质的脆弱性难以承受传统ＣＭＰ 技术
2009-10-06 10:08
的机遇和挑战等方面，为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士和研究生提供了难得的学习和交流机会
2017-07-11 14:06
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是
2023-02-02 15:13
器件性能的限制被认识得越来越清晰。实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场，也就是选择宽禁带的半导体材料。
2021-03-01 16:12
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。
2024-07-31 09:09
农业机械自动导航技术研究进展。
2021-03-16 11:16
先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展，介绍了SiC功率器件的最新
2021-02-01 11:28
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
