第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和
2023-02-23 17:59
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。
2024-07-31 09:09
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是
2023-02-02 15:13
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽
2017-07-11 14:06
。目前，从市场领域来看，宽禁带半导体材料已于快充、新能源汽车、光伏、风电、高铁等多
2022-10-28 11:04
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型
2023-11-03 12:10
在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是
2022-07-06 12:49
