碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型
2024-10-16 13:52
将宽禁带半导体器件SiC肖特基二极管引入到直流开关电源的PFC电路中，可以在不改变电路拓扑和工作方式的情况下，有效解决硅
2020-10-02 16:11
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设
2020-05-28 09:58
功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料，它们在电子器件中的应用
2024-07-31 09:07
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一
2018-10-10 16:57
现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于
2016-04-29 15:25
的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56
宽带隙 （WBG） 半导体需要具有更低的寄生电感和电容的封装。为了实现这一目标，提出了新的包装解决方案，以增加集成度。
2024-03-25 10:01
