）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料，它们在电子器件中的应用有着很大的不同。以下是它们之间的一些主要区别：
2024-07-31 09:07
半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设
2020-05-28 09:58
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半
2018-10-10 16:57
GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基
2023-07-02 11:18
现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
2016-04-29 15:25
的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56
肖特基接触（Schottky contact）是指金属与半导体材料相接触时，在界面处半导体的能带弯曲，形成一个势垒，称为
2024-10-22 10:37
二维半导体因其原子级厚度和独特电学性质，成为后摩尔时代器件的核心材料。然而，金属-半导体接触电阻成为限制器件性能的关键瓶颈。传统二维半导体（如MoS₂、黑磷）普遍存在高
2025-09-29 13:43 苏州埃利测量仪器有限公司 企业号
