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            可行性分析 北方华创的硅刻蚀机在14nm工艺上取得重大进展,中微公司第二代电介质刻蚀设备已广泛应用于28到7nm后段制程以及10nm前段制程。 刻蚀之后使用去胶设备将表面遗留的光刻胶去除。屹唐半导体的去胶设备已经进入了5nm生产线。 5. 离子注入环节主要是注入机,基本满足要求。晶圆制造中需要将杂质离子(如硼离子、磷离子)掺入被刻蚀后的特定硅片区域中,从而形成PN结、电阻、欧姆接触等。离子注入是使带电粒子(离子)高速轰击硅

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    2019-09-04 17:18