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  • 安森美两大最新功率模块系列解读

    安森美(onsemi)在2024年先后推出两款超强功率半导体模块新贵,IGBT模块系列——SPM31IPM,QDual3。值得注意的是,背后都提到采用了最新的FS7技术,主要性能拉满,形成业内独特的领先优势。

    2024-12-19 10:54

  • 4N60器件的特性分析

    UTC 4N60是一个高电压MOSFET ,并设计成有更好的特性,如快速开关时间,低门电荷,低通态电阻,并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用, PWM马达控制,高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。

    2019-05-14 15:08

  • 一文详解安森美的智能感知技术

    安森美半导体(On Semiconductor)可以说是一家老牌的半导体厂商。1999年,安森美半导体从摩托罗拉公司剥离,2000年在纳斯达克上市。目前该公司在全球拥有雇员32000人,年收入59亿美元。

    2019-06-07 17:48

  • 600V、20A型号参数,树墙修剪机电机IGBT型号推荐FHF20T60A型号代换!

    树墙修剪机的电机驱动电路想在市场中获得竞争优势,选择优质的IGBT是非常重要的。市场中FHF20T60A的IGBT单管是优质代换NCE20TD60BF参数型号,帮助提高

    2023-05-30 17:06

  • 安森美低压便携及中等电压LED通用照明方案

    LED是低压器件,根据色彩及电流不同,LED正向电压可介于2V至4.5V之间,并以恒定电流驱动,以确保所要求光强度和色彩。这要求电源转换及控制方案连接不同电源,甚至是电池。安森美半导体分别为低压

    2014-03-13 11:27

  • 安森美SiC cascode JFET并联设计的挑战

    随着Al工作负载日趋复杂和高耗能,能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET,内容包括Cascode(共源共栅)关键参数和并联振荡的分析,以及设计指南。本文将继续讲解并联的挑战。

    2025-02-28 15:50

  • 安森美M1 1200 V SiC MOSFET动态特性分析

    之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响,作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分,还将提供

    2023-06-16 14:39

  • 安森美半导体的LED通用照明设计方案

    根据应用要求(尺寸、能效、功率因数、功率、驱动电流)不同,以交流主电源驱动LED有多种拓扑。安森美半导体提供各种电源方案,可用于各种照明应用。

    2019-10-25 16:31

  • 深度解析安森美iToF方案

    信息,有助于实现自适应和智能化操作。此前的文章我们曾介绍了深度感知应用、深度感知的方法,本文将继续介绍安森美 (onsemi)的 iToF 方案。

    2025-05-21 17:44

  • 安森美GaN功率器件的功能和优点

    GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及,大大提升了电源的效率和功率密度,其优点和用量递增,也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 安森美(onsemi)新推出的iGaN NCP5892x系列,集成eGaN与驱动电路一体化,让电源工程师在GaN的应用更简单容易。

    2024-11-15 10:37