)技术制造,4865NG-VB适合需要高效能和高可靠性的电源管理和功率控制应用。### 二、4865NG-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO252-
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
XU1019-QH上变频器MACOM 的 37.0-40.0 GHz GaAs MMIC 集成上变频器具有 7 dB 的典型转换增益和大于 15 dBc 的镜像抑制。它已针对 USB 操作进行了优化
2022-12-28 15:28 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
,适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
,4905NG-VB具有优异的电气特性,适用于电源管理、功率放大和电机控制等领域的高效能需求。### 二、4905NG-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO252-
2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率电子设备和电源管理应用。### 4809NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (V
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4910NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于高性能和高效能的电子应用。封装为 TO252,具备优异的导通特性和热管理
2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
和热管理能力,适合要求高性能和可靠性的电源管理和功率开关设计。### 详细参数说明- **型号**: 4960NG-VB- **封装**: TO252- **配置
2024-11-12 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介5865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,具有高效能、低导通电阻和高电流承载能力,适合于各种功率管理和电源控制应用。### 详细参数
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
XU1006-QB砷化镓变送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 发射器在整个频段具有 +17.0 dBm 输出三阶截距。该器件是一个平衡的电阻式 pHEMT 混频器,后跟一个
2022-12-28 15:31 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号