增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间，新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。
2023-11-30 10:20
毫无疑问，在提升存储密度的研究方面，研究人员很快会遇到量子力学的基本限制所导致的壁垒。对于需要在更小物理空间存储越来越多数据的世界来说，这无疑是个坏消息。
2018-06-28 16:44
3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。
2015-06-01 11:51
可穿戴医疗设备通常设计得尽可能隐蔽。因此，在尽可能小的封装中达到所需的存储密度非常必要。种种创新要求在有限的外形尺寸中存储更多的数据。要满足这一点，许多医疗设备设计人员转而采用创新型裸片
2014-10-23 09:22
高密度DDR(Double Data Rate)芯片是一种先进的动态随机存取存储器(DRAM)芯片，具有极高的数据存储密度和传输速率。与传统的DRAM相比，高
2024-11-05 11:05
计算机内存主要是DRAM和SRAM。二者相比，DRAM的存储密度更高，而SRAM则具有最快的片上缓存。这两类半导体存储器都已经历了数十年的发展。
2021-10-13 09:25
由于低功耗、数据非易失、存储速度快、存储密度大等优点，Nand Flash在闪存行列中脱颖而出，常被用作大容量数据的存储媒质。随着
2018-03-27 10:50
Flash存储器技术趋于成熟，应用广泛，它结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，是目前比较理想的存储器。Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来
2017-10-11 18:57
传统平面NAND闪存技术的扩展性已达到极限。为了解决这一问题，3D-NAND闪存技术应运而生，通过在垂直方向上堆叠存储单元，大幅提升了存储密度。本文将简要介绍3D-NAND浮栅晶体管。
2024-11-06 18:09
QLC即Quad-Level Cell架构，每个闪存单元内可储存4个比特数据，相比TLC闪存的存储密度提升33%。为了表达4比特数据，一个QLC闪存单元拥有多达16种电压状态，对闪存品质及主控纠错能力提出了很高的要求。
2019-04-09 09:56
