对第一代开关电流存储单元产生的时钟馈通误差做了合理的近似分析，设计了一种高性能开关电流存储单元。该电路仅在原存储单元的基础上增加了一个MOS管，使误差降为原来的4%，
2010-07-05 14:50
应用于超低电压下的SRAM存储单元设计_刘冰燕
2017-01-07 21:39
使用赛道存储单元的近阈值非易失SRAM_孙忆南
2017-01-07 21:45
。O工P存储器的种类很多，很多是基于熔丝和反熔丝，本文介绍的O工P存储器基于反熔丝结构。在反熔丝O工P存储器中，通过对选中单元的编程改变了
2017-11-07 11:45
OCE28V256X是一种单电压（3.3V）、异步、rad-hard 32kbit x8内存设备，使用抗-基于保险丝的一次性可编程（OTP）存储单元。采用了标准的1 30nm CMOS工艺用于
2022-06-08 11:22
记忆技术不停滞不前。存储器结构的变化速度更快和更有效的结构的创建和使用在连续几代人如DRAM SDRAM DDR DDR1、2、3、等。
2017-06-06 14:22
4.2.1.主存中存储单元地址的分配：存储字长：存储器中一个存储单元(存储地址)所
2021-07-28 06:43
方式边界对齐的数据存放方法主存的基本结构和工作过程存储系统的层次结构半导体存储器静态MOS存储器 SRAM静态MOS存储单元静态MOS
2021-07-28 07:59
1.(判断题)DRAM上电时存储单元的内容是全0，而Flash上电时存储单元的内容是全1。(4分) A.正确B.错误 FLASH可保存 上电后不知道是啥2.(判断题)眼图可以用来分析高速信号的码间
2021-07-22 08:57
Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构Nand flash的内部组织结构，此处还是用图来解释，比较容易理解：图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10
