开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34
的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到
2018-08-30 15:47
电机效率的影响因素降低电机损耗的关键制造技术
2021-01-26 07:49
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
如何去降低USB 3.x的插入损耗？有大神能解答这个问题吗
2021-07-15 06:26
产生的。传导损耗与占空比有直接关系。当电流较高一侧的MOSFET打开后，负载电流就会从其中通过。漏源通道电阻(RDSON)产生的功率耗散可以用公式1表示：其中D == 占空比对于LM2673这样的非同
2018-08-30 14:59
MOSFET的驱动电流，减缓该MOSFET的接通时间，同时有助于降低开关节点振铃噪音。注意：减慢高侧MOSFET的关闭时间会增大开关
2018-08-31 19:55
