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型号：AP09<b class='flag-s-7'>N20J</b>-HF-VB 品牌：微碧

。### AP09N20J-HF-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源极电压 (VDS)**: 200V- **

2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9912<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

的应用场合。### 9912J-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)**: 30

2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9916<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

合。### 9916J-VB 详细参数说明- **Package（封装）：** TO251- **Configuration（配置）：** 单 N 沟道- **VDS（漏极

2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9960<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

应用。### 详细参数说明- **型号**: 9960J-VB- **封装**: TO251- **配置**: 单通道N沟道- **漏源电压 (VDS)**: 40V- **栅源

2024-11-26 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9915<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**产品型号：** 9915J-VB  **封装形式：** TO251  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术：** Trench技术

2024-11-26 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：EMF30<b class='flag-s-7'>N02J</b>-VB 品牌：微碧

**VBsemi EMF30N02J-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号：** EMF30N02J-VB- **丝印：** VB1240- **品牌

2024-01-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9918<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

为 TO251，适合在各种电子设备中进行功率控制和能量转换。### AP9918J-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO251- **配置**：单 N 沟道- **漏

2024-12-26 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM9948<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

电压和中等电流应用设计。其双 N 沟道配置使其在电源管理和开关控制应用中表现优异。APM9948J-VB 提供了高效的开关性能和较低的导通电阻，是各种电子设备中高效

2024-12-31 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9915<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

和高可靠性，适合要求高功率密度和效率的电子系统设计。### AP9915J-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO251- **配置**：单N沟道- **漏源电压（

2024-12-26 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9912<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

负载的功率开关和电源管理应用。### AP9912J-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)*

2024-12-26 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号