如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46
在选取RC元件（电阻和电容）参数时，应尽量避免选取小电阻，这主要基于以下几个方面的考虑： 1. 电压分压效应 降低电压输出 ：小电阻作为负载时，会与信号源的内阻形成分压电路，从而大幅度降低信号源输出
2024-09-18 15:32
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们
2021-03-11 10:53
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。
2023-02-07 14:21
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。
2023-04-26 17:52
无功补偿电容器运行特性参数选取 1 电力电容器及其主要特性参数电力电容器是无功补偿装置的主要部件。随着技术进步和工艺更新,纸
2009-02-10 14:16
最近分析了Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。
2023-03-08 15:03
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要
2025-02-02 13:48
功率Mosfet参数介绍 第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39
MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54
