）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 栅极电容。
2024-10-29 10:45
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以
2023-12-03 09:30
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨MOSFET用于开关电源的
2016-12-15 16:00
MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取决于其导通电阻（RDS（ON）），计算RDS（ON）看似是一个很好的着手之处。但MOSFET的导通电阻取决于结温TJ。返过来，TJ又取决于
2019-06-18 14:56
功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效
2018-07-21 09:20
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率
2024-10-30 15:24
