BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
实验名称：高压放大器在介电泳效应的细胞分选研究中的应用 研究方向：生物医学 测试目的： 细胞分选在分析化学和生物医药领域有着非常重要的应用。在众多的分选方法中，微流控分选方法以其响应速度
2024-07-11 17:34 Aigtek安泰电子 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
超级电容组的电压由串联的电容器数量决定，而功率则是由并联的电容器数量决定。超级电容和电动汽车动力电池类似，每个超级电容单体的电压范围为1~3.0V（和电容器类型有关），所以需要将超级电容串联使用才能得到所需的电压。 理想状态时，每个超级电容单体性能应该是一致的，即每个超级电容单体的电压是 一样的
2024-03-01 15:11 深圳市御坤科技有限公司 企业号
要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源，可以替代英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
