本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑 请哪位高手指点一下，如何测量IGBT单管的好坏，谢谢
2012-07-25 21:49
场效应管好坏的判别相关资料下载
2021-05-24 06:49
` 判断MOS管好坏的方法有两种： 第一种：定性判断MOS管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电
2019-03-04 15:41
晶体管(IGBT )它综合了 MOSFET 输入阻抗高、驱动电流小和 双极型管的导通电阻小、高电压、 大电流的优点。2． 功率管的散热 功率管良好的散热是保证功率放大
2021-05-13 07:44
IGBT的测量
2012-08-13 14:15
`这个简单的电路在很多情况下给我很大的帮助，他可以测试三极管的好坏，在电路中，低至40欧姆的BC之间或者BE之间电阻，他可以检查放大电路中的功率输出三极管。 电路原理如下： 555定时器（IC1
2011-09-25 13:17
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
2021-05-24 08:07
ADP5037微功率管理单元评估板。 ADP5037采用24引脚4 mm 4 mm LFCSP封装。 ADP5037是四通道器件，共用一个评估板
2019-08-06 06:56
法判断IGBT的好坏。判断IGBT的方法1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷
2011-12-14 11:29
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR
2012-07-25 09:49
