本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工
2018-04-03 16:11
本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是
2018-03-27 18:21
电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。
2019-04-25 14:43
电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。
2019-06-30 10:55
电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参与导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。
2019-08-07 17:01
有些漏电的电容器，用上述方法不易准确判断出好坏。当电容器的耐压值大于万用表内电池电压值时，根据电解电容器正向充电时漏电电流小，反向充电时漏电电流大的特点，可采用 R×1
2018-04-08 15:48
半导体电容一般是皮法 (pF) 级或纳法(nF) 级。许多商用 LCR 或电容表可以使用适当的测量技术测量这些值，包括补偿技术。
2020-06-08 16:52
当PN结外加反向电压|vD|小于击穿电压（VBR）时，iD≈–IS。IS很小且随温度变化。当反向电压的绝对值达到|VBR|后，反向电流会突然增大，此时PN结处于“反向
2020-08-27 16:28
贴片电容击穿后对直流形成开路，造成直流电路工作不正常。换句话说，当电容击穿时通过测量电路中有关测试点的直流
2019-05-24 14:04
capaNCDT电容式位移传感器基于平板电容原理。电容的两极分别是传感器和与之相对的被测物体。如果有稳定交流电通过传感器，输出交流电的电压会与传感器到被测物体之间的距离
2018-05-15 11:49
