反激式转换器。在同步整流器应用以及以太网供电（PoE）输入整流器中，低侧开关也被用来代替二极管作为整流器。P沟道MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N
2021-04-09 09:20
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱
2018-03-03 13:58
MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P沟道区域位于P沟道
2023-02-02 16:26
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率
2021-03-02 08:40
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00
载流子是空穴，与N沟道MOSFET中使用的电子相比，这些电荷载流子的迁移率较低。P沟道和N沟道MOSFET之间的主要区别
2022-09-27 08:00
MOSFET作为开关应用时，可以用图1中的模型来分析，当G、S极电压为零时，D、S不导通，相当于开路。当栅极电压为10V，源极电压为0V时，就有电流ID流过漏、源极，漏极和<br/>
2010-08-17 09:21
N沟道MOSFET管子接在电路中，好多芯片并联在一块，在不拆下的情况如何测量其好坏？
2024-09-20 06:39
内关闭MOSFET栅极。LM74670-Q1设计用于单独驱动每一个N沟道MOSFET，以便仿真一个没有正向传导损耗的理想二极管。LM74670-Q1用一个悬浮拓扑和电荷泵来
2018-05-30 10:01
掺杂的N-的外延层即epi层来控制。图2：N沟道垂直导电的平面结构及Rdson组成 在低压器件中，由于N-外延层比较薄，N+层和漏极的金属衬底对通态的电阻影响大；大于100V的器件，N-外延层是通态电阻
2016-10-10 10:58
