本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法；并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
2015-09-18 14:33
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类。
2023-03-26 16:18
电源设计工程师在选用 Power MOSFET 设计电源时，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐压、最大导通电流能力及导通电阻等三项参数做出初步决定。但实际上，MOSFET/IGBT
2024-01-20 17:08
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。
2018-03-30 16:21
哪些因素会影响MOSFET放大器的Robust增加一个电阻，提高Robust增加一个电容。
2019-06-26 14:33
而注2中描述：为了保证弯曲损耗易于测量和测量准确度，可用1圈或几圈小半径环光纤代替100圈光纤进行试验，在此情况下，绕的圈数环的半径和最大允许的弯曲损耗都应该与30mm半径100圈试验的损耗值相适应。
2020-01-13 16:51
铁路牵引变流器作为轨道交通车辆动力系统的核心部件，正朝着高可靠性、高功率密度和高效率方向发展。目前IGBT仍是铁路牵引领域的主流功率半导体器件，但是SiC MOSFET模块的应用正在加速。本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低
2025-09-23 09:26
IGBT模块的开关损耗（动态损耗）与导通损耗（静态损耗）的平衡优化是电力电子系统设计的核心挑战。这两种损耗存在固有的折衷
2025-08-19 14:41
基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术
2014-04-17 11:24
