了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/
2021-10-28 08:37
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等
2017-02-24 15:05
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功
2017-03-06 15:19
开关管由开通到关断的功耗测试 由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns) 由开通
2011-06-10 10:12
性负载两端连接了一个简单的飞轮二极管，以在MOSFET将其“关断”时消散电动机产生的任何反电动势。由齐纳二极管与二极管串联形成的钳位网络也可用于允许更快地切换以及更好地控制峰值反向电压和压
2021-09-13 08:27
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关
2021-01-30 13:20
极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压（高电平）[url=13/]，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，[url=15/]给一个低电
2019-01-08 13:51
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通
2017-01-09 18:00
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，
2021-10-29 08:43
高效控制。关键词：中频电源；功率因数角φ调节；关断时间控制1 概述常规中频电源是由AC/DC可控整流器与单相DC/AC电流型并联谐振逆变器组成的，它在感应加热熔炼过程中的正常工作如图1所示，是以负载
2013-11-18 09:41
