### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4809NG-VB MOSFET产品简介4809NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有低导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4910NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于高性能和高效能的电子应用。封装为 TO252,具备优异的导通特性和热管
2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
,适合于要求高性能和低导通电阻的应用场合。### 5802NG-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **漏极-源极电
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介5803NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有高效能、低导通电阻和稳定的性能特征,适用于需要高电流和高频率操作的电子应用。### 详细参数
2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号