MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、
2024-09-18 09:58
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二
2023-11-14 16:04
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指
2024-09-18 09:52
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关M
2018-09-23 11:17
偏 HTGB试验；其次，针对高压SiC MOSFET 的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究。试验结果表明，在高压 SiC M
2024-01-04 09:41
源漏扩展结构（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE（源漏扩展结构）引入了一个浅的
2025-05-27 12:01
在电路中常会遇到漏极开路（Open Drain）和集电极开路（Open Collector）两种情形。漏极开路电路概念中提到的“
2017-11-09 12:11
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从漏
2024-09-18 09:56
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2019-06-19 15:13
MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加
2023-11-30 15:54
