本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的电阻小了，电流大了
2012-07-09 17:45
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏
2021-11-12 08:12
` 判断MOS管好坏的方法有两种： 第一种：定性判断MOS管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极
2019-03-04 15:41
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小
2016-10-10 10:58
的。N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS。先从NMOS的工作原理讲起：对于增强型NMOS，绝缘层中没有电荷，所以栅不通电时，绝缘层下的沟道仍为P型半导体，而而NMOS的漏
2012-07-05 11:30
前面讨论过，单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。IDM和实际的应用最相关的状态就是系统发生短路，例如在电机控制应用 中，在一些恶劣条件下，由于机械的摩擦或碰触，绕组油漆局部
2016-08-24 16:02
的。N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS。先从NMOS的工作原理讲起：对于增强型NMOS，绝缘层中没有电荷，所以栅不通电时，绝缘层下的沟道仍为P型半导体，而而NMOS的漏
2012-07-06 16:39
MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。 三极管的开漏
2011-11-18 22:05
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极
2017-01-09 18:00
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18
