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型号：JANTX2N6794：高效能N沟道功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌：
领域得到了广泛应用。产品技术资料最大漏极源极电压 (Vds)：60V最大漏极
2024-10-27 18:47 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号：JANTX2N6788：高效能N沟道功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌：
2024-10-27 18:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号：JANTX2N6790：高效能N沟道功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌：
控制等领域得到了广泛应用。产品技术资料最大漏极源极电压 (Vds)：60V最大漏
型号：JANTX2N6798：高效能N沟道功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌：
2024-10-27 18:49 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号：JANTX2N6796：高效能N沟道功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌：
2024-10-27 18:48 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号：JANTX2N6786：高效能N沟道功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌：
型号：BSL806N-VB 品牌：微碧
### 详细参数说明- **VDS**: 20V (漏源极电压)- **VGS**: ±12V (栅源
2025-01-09 11:50 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：RF-<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>-DRIVER 品牌：
RF-MOSFET-DRIVER型号简介 RF-MOSFET-DRIVER是Microchip推出的一款碳化硅肖特基二极管，这款二
2024-10-25 16:05 立年电子科技 企业号
型号：IRFM450 功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>的详细解析 品牌：
电子应用中成为理想选择。产品技术资料IRFM450的主要技术参数包括：最大漏极源极电压（VDS）：450V最大漏
2024-10-27 18:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号：BSS123A-VB 品牌：微碧
参数说明- **VDS**: 100V (漏源极电压)- **VGS**: ±20V (栅源
2025-01-09 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
