康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V
2019-06-21 13:30
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏
2024-06-13 10:07
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个
2012-01-12 16:12
极电流保持比例的关系，漏极电流恒定，因此栅极电压也保持恒定，这样栅极电压不变，栅源
2025-02-26 14:41
。MOSFET包括在CMOS和BiCMOS数字逻辑电路中，因为有源极和漏极之间的绝缘，所以MOSFET功耗低。另外
2012-12-10 21:37
。MOSFET包括在CMOS和BiCMOS数字逻辑电路中，因为有源极和漏极之间的绝缘，所以MOSFET功耗低。另外
2012-01-06 22:55
电压，VIN为输入电压，VOUT为输出电压。输入与输出电压可以转换为MOSFET的漏源电压和栅源电压，如下式：VDS=V
2021-04-08 11:37
MOS管驱动电机，负载接在漏极端；MOS+运放组成的恒流源，负载也在漏极端。想问一下，负载可以放在源极吗？两者有什么区别？
2021-07-08 18:07
