使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
实验名称：高压放大器在应力波法套筒灌浆密实度检测研究中的应用 研究方向：无损检测 测试目的： 钢筋套筒灌浆连接技术被广泛应用于装配式建筑节点连接中，但灌浆不密实将导致节点失效的风险。因此
2024-07-18 16:59 Aigtek安泰电子 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
器件在使用过程中最常见的失效模式之一就是电浪涌引起的电过载（EOS)损伤或烧毁。下面简聊下集成电路电浪涌的产生和预防。1. 什么是电浪涌（电过载EOS）
2022-07-29 10:33 陕西航晶微电子有限公司 企业号
