N型单导体和P型半导体是两种不同类型的半导体材料，它们具有不同的电子特性和导电能力。
2024-02-06 11:02
在功率半导体器件领域，N+N增强型MOSFET凭借多单元集成的架构，在电机驱动、电动设备控制等场景中展现出独特优势。本文将针对仁懋电子（MOT）的MOT4913J型号，从参数、特性到应用场景进行深度
2025-10-23 10:50 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
以同样的方式理解p型材料(如下图所示)。不同之处在于，只有元素周期表第三列的硼被用来使p型的硅掺杂。当硼与硅混合时，硼也从硅中吸取电子。然而，这里也只能凑齐三个外层电子，而不是四个电子，在原子的外环
2023-11-17 09:11
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道
2023-04-13 09:40
仁懋电子（MOT）推出的MOT4025G是一款互补增强型MOSFET，集成N沟道与P沟道管，凭借40V耐压、超低导通电阻及优异开关特性，适用于电机驱动、DC-DC转换器
2025-11-04 16:33 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，
2019-06-26 16:04
N型硅片通常需要更高纯度的硅料，这意味着它们含有的金属杂质较少，这些金属杂质可能会作为复合中心降低少子寿命。
2024-04-25 11:46
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就R
2018-03-09 14:28
从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET，p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么集成电路的制造更偏向于P型硅？
2025-05-16 14:58
