深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。B82723-J2402-N1 由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后成交价格，具体价格请与
2022-08-03 15:10 深圳市港禾科技有限公司 企业号
### AP01N60J-VB 产品简介**型号：** AP01N60J-VB **封装：** TO251 **配置：** 单N沟道MOSFET **技术
2024-12-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi SH8J62TB-VB是一款具有卓越性能的双P沟道功率场效应管，具备以下性能参数：**技术规格:**- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 导通电阻：35mΩ @ VGS=10V
2024-04-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
**VBsemi EMF30N02J-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号：** EMF30N02J-VB- **丝印：** VB1240- **品牌
2024-01-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
AT25512N-SH-T：高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中，可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip（美国微芯）推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### AP03N70J-VB 产品简介AP03N70J-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO251 封装，由 VBsemi 公司生产。它具有高漏源电压
2024-12-13 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO251，采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用，具有良好的导通性能和稳定性
2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP01N40J-VB 产品简介AP01N40J-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装为TO251。该器件具有650V的漏源极电压和2A的连续漏极电流能力，适用于
2024-12-13 11:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP01N40J-HF-VB 产品简介AP01N40J-HF-VB 是一款单 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），采用 TO251 封装，由 VBsemi 公司生产。该器件设计用于高电压
2024-12-13 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
