本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
大电流注入(BulkCurrentInjection，BCI)法广泛用于评估多种电子设备的电磁敏感度，包括汽车、航空、计算处理、医学、电信等设备，BCI法模拟被测设备在正常工作状态下电导体中产
2024-04-26 08:06 深圳市华瑞高电子技术有限公司 企业号
/FLASH供用户存放程序和工作数据。为了防止未经授权访问或拷贝单片机的机内程序，大部分单片机都带有加密锁定位或者加密字节，以保护片内程序。如果在编程时加密锁定位被使能（锁定），就无法用普通编程器直接读取单片机内的程序，这就叫单片机加密或芯片加密
2017-11-01 20:27
上一节，我们已经介绍了基本的SQL查询语句，常见的SQL注入类型，DVWA靶场演示SQL注入。学习了上一节我们可以做到执行任意SQL语句，主要可以对数据库的数据进行操作，但是不能对服务器和应用进一步控制，本节就介绍下在有sql
2022-09-21 14:45
SQL注入漏洞作为WEB安全的最常见的漏洞之一，在java中随着预编译与各种ORM框架的使用，注入问题也越来越少。新手代码审计者往往对Java Web应用的多个框架组合而心生畏惧，不知如何下手，希望通过Mybatis框架使用不当导致的SQL
2022-10-17 11:16
离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深，掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20
在芯片解密/单片机解密过程中，常常有客户的芯片加密了，同时型号也被打磨了，由于无法确定型号。那么久需要简单型号，当然也不是所有的芯片都可以鉴定出型号的。
2023-11-10 16:08
掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中
2023-07-07 09:51
