电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>C6</b>D06065Q 品牌：

。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求，而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热SiC产品的性能，SiC极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。C6

2022-05-29 19:27 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C6D10065A</b> 品牌：

C6D10065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-05-31 20:51 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C6D06065A</b> 品牌：

C6D06065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-05-29 20:09 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R070C6</b>-VB 品牌：微碧

### 一、6R070C6-VB产品简介**6R070C6-VB**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用了TO247封装。该器件具有高电压耐受能力和低导通电阻，适用于需要处理高电压和高电流

2024-11-18 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：026011<b class='flag-s-7'>C-6</b>N8 品牌：

026011C-6N8 型号简介       026011C-6N8是Coilcraft公的一款026011C系列陶瓷芯片电感器。这款电感器具有29

2024-04-12 11:42 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C6D04065A</b> 品牌：

C6D04065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-05-29 18:51 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R190C6</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 6R190C6-VB MOSFET 产品简介6R190C6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合于中等电压和电流处理能力

2024-11-18 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号： STM8L052<b class='flag-s-7'>C6T6</b>: 低功耗 32-bit 微控制 品牌：

 STM8L052C6T6: 低功耗 32-bit 微控制器产品信息:STM8L052C6T6 是 STMicroelectronics 推出的 32 位微控制器产品,属于 STM8L系列

2024-04-30 14:17 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：M24<b class='flag-s-7'>C32-RMN6</b>TP 品牌：

M24C32-RMN6TP EEPROM 详解及应用产品概述M24C32-RMN6TP 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM（电可擦可编程只读存储器

2024-10-27 18:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R160C6</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 1. 产品简介VBsemi 6R160C6-VB 是一款单N沟道场效应管，采用了SJ_Multi-EPI技术，专为高性能应用设计。具有高达650V的漏极-源极电压（VDS），适合需要高电流

2024-11-18 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号