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  • 关于NOR Flash擦写和原理分析

    在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

    2018-10-07 15:37

  • 低功耗设计!手写板擦写专用芯片纳祥科技NX701G,小型封装省外围

    纳祥科技NX701G是一款通用的手写板擦写自动控制芯片,它采用3V纽扣电池或者两节或者三节普通千电池供电,自带升压电路,并每次自动产生1个极性相反的高压擦写脉冲,以达到一次性对手写板进行

    2025-02-05 17:22 深圳市纳祥科技有限公司 企业号

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    2023-03-06 13:44

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    2021-05-01 16:21

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    在FreeRTOS环境下,如果外部擦写 Flash,禁用指令缓存以避免在多个任务中使用来自Flash 的分支预测和应用程序同步操作 Flash的缓存预加载指令。因为代码是XIP,所以向量表也在

    2023-01-30 09:18

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    2024-05-06 11:08 聚沃科技 企业号

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    电可擦除和编程只读存储器(EEPROM)是在绝大多数嵌入式应用中都会使用到的用于保存非易失性数据的关键器件,用于在程序运行期间保存数据。Flash 闪存(Flash Memory,简称为“Flash”)是一种非易失性( Non-Volatile )存储器,广泛应用于各种嵌入式处理器中,用于存储程序代码。

    2018-03-16 13:55