电路性能下降甚至系统瘫痪。因此,深入了解晶闸管的失效模式与机理,对于提高电路设计的可靠性具有重要意义。本文将从晶闸管的基本原理出发,详细探讨其失效模式与机理,并结合相关
2024-05-27 15:00
和工作环境的变化,MOS管也可能会出现各种失效模式。本文将详细介绍MOS管的几种主要失效模式,并通过参考数据和信息,进行详细的解释和归纳。
2024-05-30 16:33
摘要:常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏.这是 TvS 生产厂家和使用方都想极力减少或避免
2022-10-11 10:05
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。
2022-10-24 16:10
重要因素。线束插接件的常见失效模式有插接件端子退针、歪针、扩孔,插接件虚接等多种模式,插接件以上失效模式也不能完全被EO
2024-10-30 15:44
动力电池系统通常由电芯、电池管理系统、Pack系统含功能元器件、线束、结构件等相关组建构成。动力电池系统失效模式,可以分为三种不同层级的失效模式,即电芯
2016-10-18 13:51
LED灯珠是一个由多个模块组成的系统。每个组成部分的失效都会引起LED灯珠失效。 从发光芯片到LED灯珠,失效模式有将近三十种,如表1,LED灯珠的
2018-07-12 14:34
触点表面存在沾污通常引起电磁继电器触点出现接触电阻增大甚至开路的失效模式。 这些附着物主要有两类:一类为无机物,如Si、Ca、Al等的氧化物;而另一类主要成分为含C、O的有机物。
2022-06-23 11:48
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时,自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离,从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击穿期间,与 MOSFET内部二极管电流呈反方向流动的电流称为“雪崩电流IAS”,参见下图(1)。
2022-04-19 15:10