保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析
2023-12-14 17:06
半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表
2023-01-06 13:36
常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏．这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况
2023-05-12 17:25
失效分析是指研究产品潜在的或显在的失效机理，失效概率及失效的影响等，为确定产品的改进措施进行系统的调查研究工作，是可靠性
2009-07-03 14:33
MOSFET的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2023-02-13 09:30
或断裂；致命失效 ――绝缘子破裂；致命失效 ――绝缘子表面飞弧；部分功能失效 引起电容器失效的原因是多种多样的。各类电容器的材料、结构、制造工艺、性能和使用环境各不相同
2021-12-11 10:13
失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。1、电阻器的主要
2017-10-11 06:11
电容器的常见失效模式有：――击穿短路；致命失效――开路；致命失效――电参数变化（包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降或漏电流上升等；部分功能失效――漏液；部分
2018-03-15 11:00
电路性能下降甚至系统瘫痪。因此，深入了解晶闸管的失效模式与机理，对于提高电路设计的可靠性具有重要意义。本文将从晶闸管的基本原理出发，详细探讨其失效模式与机理，并结合相关
2024-05-27 15:00
