电路性能下降甚至系统瘫痪。因此，深入了解晶闸管的失效模式与机理，对于提高电路设计的可靠性具有重要意义。本文将从晶闸管的基本原理出发，详细探讨其失效模式与机理，并结合相关
2024-05-27 15:00
本文通过大量的历史资料调研和失效信息收集等方法，针对不同环境应力条件下的MEMS惯性器件典型失效模式及失效机理进行了深入探讨和分析。
2018-05-21 16:23
失效率是可靠性最重要的评价标准，所以研究IGBT的失效模式和机理对提高IGBT的可靠性有指导作用。
2023-04-20 10:27
MOSFET等开关器件可能会受各种因素影响而失效。因此，不仅要准确了解产品的额定值和工作条件，还要全面考虑电路工作中的各种导致失效的因素。本系列文章将介绍MOSFET常见的失效
2023-03-20 09:31
半导体集成电路失效机理中除了与封装有关的失效机理以外，还有与应用有关的失效机理
2025-03-25 15:41
摘要：常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏．这是 TvS 生产厂家和使用方都想极力减少或避免
2022-10-11 10:05
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。
2022-10-24 16:10
元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。
2022-08-19 11:25
本文通过对典型案例的介绍，分析了键合工艺不当，以及器件封装因素对器件键合失效造成的影响。通过对键合工艺参数以及封装环境因素影响的分析，以及对各种失效模式总结，阐述了键合工艺不当及封装不良，造成键合本质失效的
2023-07-26 11:23
