晶闸管（Silicon Controlled Rectifier, SCR）作为电力电子领域中的关键器件，其可靠性对电路的稳定运行至关重要。然而，在实际应用中，晶闸管可能因各种原因而失效，导致
2024-05-27 15:00
短路失效的原因。分析结果表明引发 TvS 短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷、表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等。使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。
2022-10-11 10:05
本文通过大量的历史资料调研和失效信息收集等方法，针对不同环境应力条件下的MEMS惯性器件典型失效模式及失效机理进行了深入探讨和分析。
2018-05-21 16:23
失效率是可靠性最重要的评价标准，所以研究IGBT的失效模式和机理对提高IGBT的可靠性有指导作用。
2023-04-20 10:27
MOSFET等开关器件可能会受各种因素影响而失效。因此，不仅要准确了解产品的额定值和工作条件，还要全面考虑电路工作中的各种导致失效的因素。本系列文章将介绍MOSFET常见的失效
2023-03-20 09:31
半导体集成电路失效机理中除了与封装有关的失效机理以外，还有与应用有关的失效机理
2025-03-25 15:41
对电子元器件的失效分析技术进行研究并加以总结。方法 通过对电信器类、电阻器类等电子元器件的失效原因、失效机理等故障现象进
2018-01-30 11:33
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。
2022-10-24 16:10
以IGBT、MOSFET为主的电力电子器件通常具有十分广泛的应用，但广泛的应用场景也意味着可能会出现各种各样令人头疼的失效情况，进而导致机械设备发生故障！
2023-11-24 17:31
元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。
2022-08-19 11:25
