天科合达的该项专利提出的改进物理物理气相传输法工艺所生成的碳化硅芯片质量远远高于传统方式生成的芯片。
2020-03-18 14:50
来源：天科合达 据天科合
2023-08-10 16:45
据招股书显示，以碳化硅为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一，与硅材料相比，以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压/高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于半导体功率器件和5G通讯等领域。
2020-08-26 14:41
本实验通过以自主研发的由c轴偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC衬底作为籽晶和扩径生长的起始点，采用物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法进行扩径生长获得直径放大的SiC单晶。
2023-01-17 14:10
据“金龙湖发布”公众号消息，目前，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目机电安装工作已进入后期收尾阶段。相关负责人称，后续重要工作将是吊顶完成，各系统的追位、调试，以及生产
2024-05-08 17:40
8月，天科合达开工建设位于徐州的碳化硅二期扩大生产工程，总投资8.3亿元。该项目投入生产后，每年有16万个碳化硅晶圆的生产能力。该公司已经6英寸和8英寸碳化硅制造的需要
2023-08-24 09:53
为进一步完善产能布局，抢占市场先机，北京天科合达决定在徐州经开区开展江苏天科
2023-08-09 16:25
10月16日，上交所发布“关于终止对北京天科合达半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市审核的决定”，决定终止对
2020-10-21 11:09
2023年5月，英飞凌与天科合达签订了长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。天
2024-01-11 16:38
GaN产业链按环节分为Si衬底(或GaN单晶衬底、SiC、蓝宝石)、GaN材料外延、器件设计、器件制造、封测以及应用。各个环节国内均有企业涉足,如在射频领域,SiC衬底生产商有天科合
2022-09-07 15:58
