罗德与施瓦茨NRP40T热功率探头主要特点动态范围:–35 dBm 至 +20 dBm频率范围:DC 至 110 GHz 通过 USB 和 LAN 
2025-03-14 10:30 深圳仪信电子科技有限公司 企业号
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGFCF40T-D 是一款射频晶体管,频率 DC 至 3.7 GHz,功率 41 dBm,功率 (W) 12.59 W
2022-09-08 17:04 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
罗德与施瓦茨NRP40T热功率探头主要特点动态范围:–35 dBm 至 +20 dBm频率范围:DC 至 110 GHz 通过 USB 和 LAN 
2025-06-04 10:04 深圳仪信电子科技有限公司 企业号
R&S罗德与施瓦茨NRP40T热功率探头主要特点动态范围:–35 dBm 至 +20 dBm频率范围:DC 至 110 GHz 通过 USB 
2024-12-25 10:23 深圳仪信电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**40T10GI-VB MOSFET**The 40T10GI-VB is a high-performance N-Channel MOSFET designed
2024-11-08 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、40T03GS-VB 产品简介40T03GS-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO263封装。该产品具有30V的漏源极电压(VDS),20V的栅源极电压(VGS),1.7V的阈值电压
2024-11-08 11:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP40T10GR-VB产品简介AP40T10GR-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO262封装,适用于需要高电压和高电流的应用场合。该器件具有100V的漏极-源极电压(VDS
2024-12-18 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP40T10GH-VB 产品简介AP40T10GH-VB 是一款单N沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有高电压承受能力和低导通电阻,适合于需要高电流和高功率的电路
2024-12-18 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号